Pooljuhtlaserid leiutati 1962. aastal ja saavutasid 1970. aastal kahekordse heterostruktuuriga pidevlainetalitluse, saades optilise side põhivalgusallikaks. InGaAsP/InP süsteem toetab 1300/1550 nm madala kadudega sidesagedust ja MOCVD-st on saanud peavoolu tootmistehnoloogia.
Pooljuhtlaserkoosneb võimenduskeskkonnast ja Fabry-Perot resonaatorist. Populatsiooni inversioon teostatakse kandja süstimise teel ja laser genereeritakse stimuleeritud emissiooniga. Pikisuunalise režiimi vahe määratakse õõnsuse pikkusega ja režiimi lukustamine nõuab mitme pikisuunalise režiimi faaside sünkroniseerimist
Laia ala laseri skeem
Mitmed laserdisainilahendused, kasutades InGaAsP/InP materjalisüsteemi.
InGaAsP / InP materjalisüsteem on vastu võetud sideriba jaoks, mis katab 1300–1600 nm. MOCVD epitaksiaalne kasv saavutab suure täpsusega võre sobitamise, mis on kaubanduslike laserite põhiline tootmisskeem.
Lävivool suureneb eksponentsiaalselt koos temperatuuriga ja iseloomulik temperatuur T₀ peegeldab temperatuuri stabiilsust. Kiire modulatsioon tugineb väikese mahtuvusega ja tugevatele indeksiga juhitavatele struktuuridele.
Pooljuhtlaserid on väikesed ja väga töökindlad, toimides põhivalgusallikana optilise side, pumbaallikate, printimise ja tuvastuse jaoks, toetades miniaturiseerimist ja ülikiire režiimiga lukustatud süsteemide integreerimist.
